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DDR5的基本信號完整性 DDR5頻率相關損耗和反射

39度創意研究所 ? 2021-01-22 15:29 ? 次閱讀

2020年7月,DDR5新標準誕生,令人興奮的DDR5技術保證了更高的數據速率和更低的功耗。這是接口設計人員熟悉的承諾。但是,就像生活中的大多數事情一樣,沒有免費的午餐。降低功耗和提高速度的進步伴隨著設計復雜性的增加。DDR5與前幾代產品之間最顯著的區別是判決反饋均衡的引入,這是串行鏈路系統中用于改善接收信號完整性的一項技術。

隨著新技術的發展,本文將研究DDR5上下文中的一些基本信號完整性概念。第一部分介紹了眼圖:確定信號完整性的指標。第二部分通過檢查單脈沖響應來描述信號完整性問題的根本原因。第三部分規定了信號完整性發生問題時的解決方案。

眼圖確定信號完整性

眼圖是評估通道信號完整性的主要指標。它是通過對通道接收的偽隨機二進制序列(PRBS)的適當處理而創建的。為了在存儲器操作的“寫”周期的上下文中創建眼圖,控制器(發送器)通過通道發送PRBS到達存儲器模塊(接收器)。在存儲模塊上接收到的PRBS模式被劃分為具有相同時間間隔的段。然后將具有相同時間間隔的這些片段彼此堆疊以創建眼圖。

在圖1中,有兩個藍色的眼圖和紅色的眼圖模板。通過將通道輸出端的眼圖與模板進行比較,可以確定通道的信號完整性。模板是接收閾值的圖形表達。模板顯示對于給定的誤碼率(BER),接收信號的可接受時序和幅度。

如圖1左側所示,眼睛是張開的。當輸出眼圖和眼圖模板之間沒有重疊時,該通道具有良好的信號完整性。如果輸出眼圖與模板不重疊,則接收器可以根據接收到的模擬電壓電平和時序確定數字1或數字0。另一方面,如果存在違反模型的情況(如圖1右側所示),則眼睛會閉合,接收器無法區分數字1或數字0。

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眼圖為工程師提供了給定通道性能的指標。當接收器的眼睛合上時,需要其他分析技術來確定閉眼的根本原因。

DDR5中的頻率相關損耗和反射

DDR5標準中指定的主要問題是反射和與頻率有關的損耗[1]。圖2顯示了從控制器到存儲模塊的DQ線的單脈沖響應。單脈沖響應是從控制器發送單脈沖(數字脈沖)時在存儲模塊上接收到的波形。

在圖2中,紅色虛線是通道中沒有反射或與頻率相關的損耗的理想情況。以藍色表示,隨著理想脈沖的擴展,觀察到通道的頻率相關損耗。通道中的反射會在稍后出現。由于單個脈沖的擴散和反射會干擾其他脈沖,因此人們常將其稱為符號間干擾(ISI)。

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由頻率相關損耗引起的ISI在串行鏈路通道中很常見,而由阻抗不連續性引起的反射問題則是DDR特有的。

DDR5中的決策反饋均衡

如果信號完整性問題的根本原因是與頻率有關的損耗,那么最直接的解決方案是減少通道的長度或在制造過程中使用低損耗的材料。為了使反射量最小,走線應設計為可控阻抗。如果通過適當的通道長度,制造材料和阻抗控制使眼圖保持閉合,則接收器處的均衡可以幫助進一步改善/張開接收器中的眼圖。

在DDR5中,指定了四抽頭決策反饋均衡(DFE)來減輕損耗和反射,而不放大噪聲。每個抽頭代表一個單位間隔,四抽頭DFE在當前接收的比特之后最多校正四個單位間隔。顧名思義,決策反饋均衡算法對每個接收到的比特做出決策,并將比特的修改反饋給接收器。

在DFE算法中,接收到的模擬波形首先到達符號檢測器。符號檢測器確定接收到的模擬波形代表數字1還是數字0。如果檢測到的符號是數字符號,則模擬波形的縮放版本將是加入原始數字以強調下一個數字0。如果檢測到的符號是數字0,則將模擬波形的縮放版本添加到原始波形中,以強調下一個數字1。

圖3的左側顯示了幾乎閉合的眼圖。通過應用DFE,幾乎可以閉眼。如圖3的右側所示,DFE算法成功地打開了幾乎閉合的眼睛圖。DFE均衡眼圖的另一個獨特功能是睜眼前后的扭結。

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隨著數據速率的提高,人們看到了串行鏈路和DDR之間的技術融合。在DDR5之前,無需進行均衡即可使接收器處的像樣張開。隨著對更高速度和更低功耗的推動,均衡已經成為適當睜眼的必要條件。

盡管在接收器處配備一個均衡器以改善眼圖是令人欣慰的,但仍然需要適當地設計信道損耗和走線阻抗,以便均衡可以對系統性能產生最積極的影響。

為了更好地理解不同通道設計和均衡功能之間的平衡,使用電子設計自動化(EDA)軟件作為虛擬原型環境驗證也已成為必需。通過將虛擬樣機的結果和實際設計的測量結果相結合,可以形成一個強大的設計工作流程,以應對新的令人興奮的技術。
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FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

NCP51403 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

03是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51403保持快速瞬態響應,僅需要20 uF的最小輸出電容。 NCP51403支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51403還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓范圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,復印機/打印機 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51403 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51510 ±3A吸收/源DDR終端穩壓器

10是一款源/匯雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51510保持快速瞬態響應,并且只需要10uF的最小VTT負載電容即可實現輸出穩定性。 NCP51510支持遠程感應和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51510還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 NCP51510采用熱效率高的DFN10裸露焊盤封裝,額定綠色和無鉛。 特性 支持最高3 A的負載(典型值) ),輸出是過流保護 DDRI,DDRII,DDRIII源/接收電流 具有熱關斷保護功能的集成MOSFET PGOOD輸出引腳監視VTT輸出調節狀態 SS輸入引腳用于暫停關閉模式 靈活電壓跟蹤的VRI輸入參考 用于遙感的VTTS輸入(開爾文連接) 內置軟啟動,欠壓鎖定 應用 DDR內存終端 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 服務器和網絡設備 電信/數據通信,GSM基站 圖形處理器核心耗材 機頂盒,LCDTV / PDPTV,復印機/打印機 為芯片組/ RAM提供低至0.5 V的電源 有源/匯總總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51510 ±3A吸收/源DDR終端穩壓器

NCP51400 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

00是一款源/匯雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素.NCP51400保持快速瞬態響應,僅需要最小的輸出電容20 F. NCP51400支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51400還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓范圍:1.1 V至3.5 V 快速負荷瞬態響應 PGOOD - 監視VTT規則的邏輯輸出引腳 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 VRI - 參考輸入允許靈活的輸入跟蹤直接或通過電阻分頻器 內置軟啟動,欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 電信/數據通信,GSM基站 機頂盒,液晶電視/等離子電視,復印機/打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51400 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/匯VTT終端穩壓器

00是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51200保持快速瞬態響應,僅需要20 uF的最小輸出電容。 NCP51200支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51200還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 NCP51200采用熱效率高的DFN10裸露焊盤封裝,額定綠色和無鉛。 特性 輸入電壓軌:支持2.5和3.3 V Rails PVCC電壓范圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載 - 瞬態響應 PGOOD-Logic輸出引腳監控VTT規則 關閉模式的EN-Logic輸入引腳 VRI參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 遙感(VTTS) ) 內置軟啟動,欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終止 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 有源總線終端 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 服務器和網絡設備 機頂盒,液晶電視/ PDP-電視,復印機/打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51200 用于DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4的3A源/匯VTT終端穩壓器

NCP51401 3安培VTT端接穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

01是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51401保持快速瞬態響應,僅需要20 F的最小輸出電容.NCP51401支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51401還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓范圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,復印機/打印機 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51401 3安培VTT端接穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51402 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

02是一款源/吸收雙倍數據速率(DDR)終端穩壓器,專為低輸入電壓和低噪聲系統而設計,其中空間是關鍵考慮因素。 NCP51402保持快速瞬態響應,僅需要20μF的最小輸出電容。 NCP51402支持遠程感應功能和DDR VTT總線終端的所有電源要求。 NCP51402還可用于需要動態可調輸出電壓的低功耗芯片組和圖形處理器內核。 特性 輸入電壓軌:支持2.5 V,3.3 V和5 V導軌 PVCC電壓范圍:1.1至3.5 V 集成功率MOSFET 快速負載瞬態響應 PGOOD - 監控VTT規則的邏輯輸出引腳 VRI - 參考輸入允許直接或通過電阻分壓器進行靈活的輸入跟蹤 EN - 關閉模式的邏輯輸入引腳 內置 - 欠壓鎖定和過流限制 應用 終端產品 DDR內存終端 服務器和網絡設備 圖形處理器核心耗材 芯片組/ RAM耗材低至0.5 V 機頂盒,液晶電視/等離子電視,復印機/打印機 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51402 3安培VTT終端穩壓器DDR1 DDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4

NCP51199 2安培DDR終端穩壓器

99是一款線性穩壓器,旨在為DDR-2和DDR-3存儲器應用提供穩定的VTT端接電壓。穩壓器能夠為DDR-2和DDR-3主動提供和吸收+ -2A峰值電流高達+ -1.5A,同時將VTT輸出電壓調節到+ -10mV。輸出端接電壓通過連接到PVCC,GND和VREF引腳的兩個外部分壓電阻調節到跟蹤VDDQ2。 特性 支持DDR2 VTT端接至2 A,DDR3至1.5 A(峰值 在1.2 A(峰值)下支持低至600 mV的DDR VTT電壓 集成功率MOSFET VTT輸出上的10uF陶瓷電容穩定 FullLoad的高精度VTT輸出 快速瞬態響應 內置軟啟動 待機或掛起模式關機 集成散熱和CurrentLimit保護 應用 DDR2 / DDR3的SDRAM端接電壓 主板,筆記本電腦和VGA卡內存終止 機頂盒,數字電視,打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51199 2安培DDR終端穩壓器

NCP51198 1.5 DDR終端穩壓器

98是一款簡單,經濟高效的高速線性穩壓器,專為DDR-I,DDR-II和DDR-III存儲器生成VTT終端電壓軌。穩壓器能夠為DDR-I主動提供或吸收高達-1.5 A,或者DDR-II高達-0.5 A,-III,同時將輸出電壓調節到-30 mV以內。 特性 生成DDR存儲器終端電壓(VTT) 對于DDRI,DDRII,DDRIII源/接收電流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 具有熱保護功能的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT電容器穩定 FullLoad時的高精度輸出電壓 最小外部元件數 關機待機或暫停至RAM(STR)模式 內置軟啟動 機頂盒,數字電視,打印機 應用 臺式電腦,筆記本電腦和工作電臺 顯卡DDR內存終端 嵌入式系統 有源總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51198 1.5 DDR終端穩壓器

NCP51145 1.8A源/匯VTT DDR終端穩壓器

45是一款線性穩壓器,旨在為DDR-II,DDR-III,LPDDR-III和DDR-IV存儲器應用提供穩定的VTT端接電壓。穩壓器能夠主動提供和吸收±1.8 A峰值電流,同時將輸出電壓調節到±20 mV以內。輸出端接電壓通過連接到PVCC,GND和VREF引腳的兩個外部分壓電阻進行調節,以跟蹤VDDQ / 2.NCP51145集成了一個高速差分放大器,可對線路和負載瞬態提供超快速響應。其他功能包括源/灌電流限制,軟啟動和片上熱關斷保護。 特性 對于DDR VTT應用,源/匯電流 支持DDR-II至±1.8 A,DDR-III至±1.5 A 支持LPDDR-III和DDR-IV至±1.2 A 使用僅陶瓷(極低ESR)電容器穩定 集成電源MOSFETs 滿載時的高精度VTT輸出 快速瞬態響應 內置軟件-Start 關機待機或掛起模式 集成熱量和限流保護 應用 終端產品 DDR-II / DR-III / DDR-IV SDRAM端接電壓 低功耗DDR-3LP 主板,筆記本電腦和VGA卡內存終止 機頂盒,數字電視,打印機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51145 1.8A源/匯VTT DDR終端穩壓器

NCP51190 1.5安培DDR終端穩壓器

90是一款簡單,經濟高效的高速線性穩壓器,專為DDR-I,DDR-II和DDR-III存儲器生成VTT終端電壓軌。穩壓器能夠為DDR-I主動提供或吸收高達-1.5 A A,或者DDR-II高達-0.5 A,-III,同時將輸出電壓調節到+ -30 mV。 特性 生成DDR存儲器終端電壓(VTT) 對于DDRI,DDRII,DDRIII源/匯電流 支持DDRI至1.5 A,DDRII至0.5 A(峰值) 帶熱保護的集成功率MOSFET 使用10UF陶瓷VTT電容器穩定 高精度輸出FullLoad的電壓 最小的外部元件數 關機待機或暫停至RAM(STR)模式 內置軟啟動 應用 臺式電腦,筆記本電腦和工作站 嵌入式系統 顯卡DDR內存終端 機頂盒,數字電視,打印機 有源總線終端 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP51190 1.5安培DDR終端穩壓器

FAN23SV04TAMPX 4 A同步降壓調節器 實現DDR終止

V04TAMPX是一款極為高效的集成式同步降壓調節器,適合DDR終止電軌等跟蹤應用.V DDQ 輸入包括一個可以減少總電路尺寸和元件數量的內部2 :1電阻分壓器。該調節器在7 V到18 V的輸入電壓范圍內工作,并支持4 A的連續負載電流。如果V IN ,P VIN 和P VCC 連接在一起,繞開內部線性調節器,則該器件可以在5V電軌(±10%)下工作。該器件采用飛兆恒定導通時間控制結構,可提供出色的瞬態響應,并保持相對恒定的開關頻率。開關頻率和吸收過流保護功能可配置,為各種應用提供靈活的解決方案。輸出過壓和熱關斷保護功能可以保護器件在故障期間免受損害。熱關斷功能被激活后,達到正常工作溫度時,滯后功能會重新啟動器件。 特性 V IN 范圍:在7 V到18 V時使用內部線性偏壓穩壓器 V IN 范圍:4.5 V至5.5 V時,V IN / P VIN / P VCC 連接到旁路內部調節器 高效率 連續輸出電流:4 A 內部線性偏壓穩壓器 內部V DDQ 電阻分壓器 出色的線路和負載瞬態響應 輸出電壓范圍:0.5V至1.5V 可編程頻率:200kHz到1.5MHz 可配置軟...
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FAN23SV04TAMPX 4 A同步降壓調節器 實現DDR終止

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
發表于 04-18 20:05 ? 250次 閱讀
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降壓轉換器,其配有兩個集成型 MOSFET 以及帶 VTTREF 緩沖參考輸出的 1A 拉/灌電流雙倍數據速率 (DDR) VTT 終端穩壓器。TPS54116-Q1 降壓穩壓器通過集成 MOSFET 和減小電感尺寸來最大限度減小解決方案尺寸,開關頻率最高達 2.5MHz。開關頻率可設置在中波頻段以上以滿足噪聲敏感型 應用 的需求,而且能夠與外部時鐘同步。同步整流使頻率在整個輸出負載范圍內保持為固定值。效率通過集成 25m? 低側 MOSFET 和 33mΩ 高側 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值電流限制在過流狀態下保護器件,并且可通過 ILIM 引腳上的電阻進行調整,從而針對小尺寸電感進行優化。VTT 終端穩壓器僅利用 2 × 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持快速瞬態響應,從而減少外部組件數量。TPS54116-Q1 使用 VTT 進行遠程感測,從而實現最佳的穩壓效果。該器件可利用使能引腳進入關斷模式,從而使電源電流降至 1μA。欠壓閉鎖閾值可通過任一使能引腳上的電阻網絡進行設置。VTT 和 VTTREF 輸出被 ENLDO 禁用時會進行放電。該器件具備全集成特性,并且采用小尺...
發表于 04-18 20:05 ? 187次 閱讀
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案

TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
發表于 04-18 20:05 ? 130次 閱讀
TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
發表于 04-18 20:05 ? 472次 閱讀
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 254次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 轉換開關和 LDO

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a premium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
發表于 04-18 20:05 ? 183次 閱讀
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 轉換開關和 LDO

TPS51206 具有適用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩沖參考輸出的 2A 峰值灌/拉電流 DDR 終端穩壓器

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩沖參考輸出的灌/拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部元件數的空間受限類系統而設計。TPS51206 可保持快速的瞬態響應,并且僅需 1 個 10μF 的陶瓷輸出電容。TPS51206 支持遠程感測功能,并且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峰值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態,在 S3 狀態下將 VTT 置于高阻態(掛起到 RAM);在 S4/S5 狀態下使 VTT 和 VTTREF 放電(掛起到磁盤)。TPS51206 采用 10 引腳、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封裝,額定工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 電源輸入電壓:支持 3.3V 和 5V 電源軌 VLDOIN 輸入電壓范圍:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接穩壓器輸出電壓范圍:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌電流和拉電流 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容 ±20mV 精度VTTREF 緩沖參考輸出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉電流支持高阻態(S3 狀態)和軟停止(S4 和 S5 狀態),通過 ...
發表于 04-18 20:05 ? 390次 閱讀
TPS51206 具有適用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩沖參考輸出的 2A 峰值灌/拉電流 DDR 終端穩壓器
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