侵權投訴

300億! 近十年內亞洲最大的汽車電子融資!

章鷹 ? 來源:電子發燒友原創 ? 作者:章鷹 ? 2021-01-21 16:15 ? 次閱讀

(電子發燒友網報道文/章鷹)最近,比亞迪的兩則新聞先后出爐。1月21日,比亞迪在港交所公告,計劃增資299億港元,發行1.33億股H股,每股定價225港元,比亞迪指出增加的資金將補充集團營運資金,償還債務、研發投入及一般企業用途。

比亞迪董秘李黔對媒體表示,比亞迪完成300億港幣H股閃電配售,成為過去十年亞洲汽車行業最大的股票融資項目,也是香港歷史上最大的非金融企業新股配售。據悉,此次交易吸引了全球眾多頂級長線、主權基金等超過200家機構投資者參與。此次融資將進一步支持公司在汽車智能化、電動化和動力電池領域的研發投入,助力公司業務快速增長。

1月20日消息,比亞迪半導體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導,并于近日在深圳證監局完成輔導備案。行業專家認為,比亞迪半導體作為國內為數不多的汽車芯片專業供應商之一,無論是獲得增資還是謀求上市,對于改善國內汽車芯片供應局面都有積極意義。

比亞迪半導體的三次融資

據天眼查APP資料顯示,2020年比亞迪半導體先后迎來了三次融資。

2020年5月27日,比亞迪完成19億元的A輪融資,投資方包括紅衫資本、中金資本、國投創新和喜馬拉雅資本;2020年6月15日,比亞迪完成了8億元的A+輪融資,投資方涵蓋韓國SK集團、小米集團、招銀國際、聯想集團、中信產業基金、ARM、中芯國際、上汽產投、北汽產投、深圳華強、藍海華騰、英威騰等戰略投資者。兩輪融資后,母公司比亞迪持有芯片部門72.3%的股份,比亞迪半導體公司的估值提高到102億元人民幣(14.4億美元)。8月13日,其又獲得了包括聯通中金、中電中金、尚頎資本、博華資本等十余家投資公司的股權融資,目前比亞迪半導體的投后估值已經超過百億元,未來還將有較大提升空間。

比亞迪半導體的市場份額和主要產品迭代情況

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種完全控制和電壓驅動的功率半導體器件,集成了BJT和MOSFET,在小驅動功率,快速開關速度,低飽和電壓和大電流密度方面表現出色。IGBT對電氣和電子系統至關重要,被視為電氣和電子行業的“CPU”。

IGBT技術不僅為全球蓬勃發展的電動汽車行業提供動力,而且還用于空調,冰箱和高速火車等其他高能耗應用中。根據中信證券的報告,到2020年,全球IGBT市場估計將達到近100億元人民幣,到2025年將增長四倍,達到近400億元人民幣。

據汽車行業權威調研數據顯示,2019年國內車規級IGBT市場呈現寡頭壟斷格局,英飛凌以高達58.2%的市場份額位居第一,比亞迪位列第二,占18%。作為國內第一家自主研發、生產車用IGBT芯片的公司,比亞迪半導體成為國內市場上最有能力挑戰國際大廠的本土廠商。

據悉,比亞迪半導體成立于2004年10月15日,主營業務覆蓋功率半導體、智能控制IC、智能傳感器及光電半導體、制造及銷售。2008年,比亞迪收購寧波中緯半導體晶圓廠,開始自主研發生產車規級IGBT芯片,2009年,比亞迪半導體推出了首款自主研發IGBT芯片,打破國外企業的技術壟斷,并不斷進行技術更新迭代。

2018年,比亞迪推出IGBT4.0芯片,該產品性能優異,在多個關鍵性技術指標上優于市場主流產品,成為國內中高端IGBT功率芯片新標桿。

截至到今天,比亞迪已經成為中國唯一一家擁有完整產業鏈的車企:包含IGBT芯片設計和制造,模組設計和制造,大功率器件測試應用平臺,電源及電控等。截止2020年10月,比亞迪以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過80萬輛,單車行駛里程超過100萬公里。

2019年,比亞迪開發的第三代半導體功率器件SiC產品推出,2020年,比亞迪“漢”EV電機控制器首次裝有自主研發的SiCMOSFET模塊,從而顯著提高了電機性能。

汽車中國芯現狀如何?比亞迪半導體可以發揮三大作用

據云岫資本統計,目前科創板的216家上市公司中,有36家半導體公司,占16%,包括設計公司16家,材料公司9家,設備公司5家。而在科創板市值前十強中,半導體公司數量占據半壁江山;同時,科創板半導體市值占據總市值的30%。半導體公司在科創板中的重要價值可見一斑。

投資人和創業者都會特別關注國產化率低的大芯片,比如EDA/IP、CPU、GPUFPGA、網絡處理芯片、車用芯片、存儲芯片等。比如EDA、IP的國產化率低于10%,前、后端的EDA工具和晶圓廠相關的EDA公司、IP公司都非常值得關注,還有,汽車芯片今年以來缺貨新聞頻頻登上熱搜,汽車電子的國產化率非常低,只有3%。隨著智能駕駛、電動化、網聯化的推進,IGBT芯片、MCU芯片、ECU、觸控屏驅動芯片、V2X射頻芯片都迎來成長期,但在這些領域,真正能有所作為的國內芯片廠商并不多。

根據方正證券的資料顯示,IGBT芯片領域,目前國內大廠主要有華虹、比亞迪、中車、斯達半導、新潔能、士蘭微、華微,而比亞迪和華虹半導體都是中堅力量。

在第三代半導體領域,比亞迪也在不斷布局,此外,特斯拉逆變器模組上率先采用了24顆碳化硅SiCMOSFET,該產品由意法半導體提供,隨后英飛凌也成為特斯拉SiC功率半導體提供商。比亞迪漢搭載其自主研發并制造的SiCMOSFET控制模塊,大大提高了電機性能。相信,隨著比亞迪半導體的IPO,這些控制模塊可以在產品迭代和產能上都有進一步的提升,改變目前單一供應比亞迪自有新能源車的現狀。

除功率器件外,比亞迪半導體在傳感器和車規級MCU方面也已經推出相關產品。比亞迪半導體已經推出了第一代32位車規級MCU,這是一顆單核的32位MCU,功能相對比較簡單,未來會推出多核的車載MCU。據悉比亞迪車規級MCU裝車量突破500萬顆。

據騰訊科技披露的最新行業消息,比亞迪和華為已經開始合作開發麒麟芯片,并預計在不久后便會有新的突破。早在6月份,兩者就有意合作,準備打造車規級麒麟芯片,其首款產品為麒麟710A。

車載芯片大廠英飛凌,近期發布公告宣布最新戰略布局,就是在汽車車身、儀表/娛樂信息系統、底盤/安全、動力總成以及高級輔助駕駛/自動駕駛等方面提供更多,更創新的解決方案。除了傳統的功率器件強項外,英飛凌在汽車傳感器、自動駕駛的毫米波雷達芯片方面都頗有建樹。

與國外車載芯片大廠相比,比亞迪半導體還是一個初露鋒芒的競爭者,這家公司未來需要不斷在研發和產品創新上持續投入,才可能在全球車載芯片領域獲得更多的市場機會。

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華為DevEco Studio Mac版終于上線了!

華為有志建立芯片制造線,我們應該給予支持,應該給予稱贊

在11 月 7 日召開的 2020 鳳凰網科技創新趨勢論壇上,工信部原部長李毅中發表主題演講《中國 “芯”的挑戰與未來》。他強調,我國...
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華為有志建立芯片制造線,我們應該給予支持,應該給予稱贊

【HarmonyOS HiSpark Wi-Fi IoT 套件試用連載】2-從DEMO中學習代碼與控制

上一篇中,我們來進行了Hello World程序的編寫和燒錄,意味著基本入門了HarmonyOS HiSpark Wi-Fi IoT 套件,下面我...
發表于 11-07 11:01 ? 202次 閱讀
【HarmonyOS HiSpark Wi-Fi IoT 套件試用連載】2-從DEMO中學習代碼與控制

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
發表于 07-31 04:02 ? 106次 閱讀
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 04:02 ? 109次 閱讀
NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 04:02 ? 72次 閱讀
NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 03:02 ? 71次 閱讀
NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 170次 閱讀
NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 115次 閱讀
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

MC33153 單IGBT驅動器

3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 01:02 ? 549次 閱讀
MC33153 單IGBT驅動器

NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 00:02 ? 284次 閱讀
NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

FL73282 半橋柵極驅動器

2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-31 00:02 ? 461次 閱讀
FL73282 半橋柵極驅動器

NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 22:02 ? 127次 閱讀
NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

低壓差(LDO)線性穩壓器將在固定輸出電壓下提供1.5 A電流。快速環路響應和低壓差使該穩壓器非常適用于低電壓和良好負載瞬態響應非常重要的應用。器件保護包括電流限制,短路保護和熱關斷。 NCP566采用SOT-223封裝。 特性 超快速瞬態響應(
發表于 07-30 08:02 ? 53次 閱讀
NCP566 LDO穩壓器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬態響應

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

4是一款30A POL,適用于在小型電路板占板面積內要求高效率的應用。該器件將DC / DC控制器與兩個高效mosfet集成在一個采用熱增強型5mm x 6mm QFN封裝的信號中。它采用獲得專利的增強型斜坡脈沖調制控制架構,可提供超快的負載瞬變,從而減少外部電容和/或提供更好的瞬態容差。與傳統的恒定時間控制器相比,新架構還改進了負載調節。 特性 優勢 效率高 減少電力損失 快速裝載瞬態 減少輸出電容的數量 頻率選擇 優化效率和輸出濾波器尺寸的權衡 0.6%準確參考 允許非常精確的輸出電壓 遠程感知 提供準確的輸出電壓 啟用輸入和電力良好指標 二手用于控制排序 可調節電流限制 低電流設計的靈活性 可調節軟啟動 允許控制開啟坡道 熱增強型QFN封裝 改善散熱 指定-40C至125C 應用 終端產品 服務器 網絡 電信 ASICs servere 存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 04:02 ? 274次 閱讀
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC轉換器 采用耐熱增強型5mm x 6mm封裝

NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

3是一款20A降壓轉換器(內置MOSFET),工作電壓范圍為3V至21V,無需外部偏置。該固定式變頻器具有高效率,可調節輸出以提供低至0.6V的電壓。可調電流限制允許器件用于多個電流水平。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,高效電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為3 V至21 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍為3V至21V 允許同一器件用于3.3V,5V和12V母線 300kHz,500kHz和1MHz開關頻率 用戶可選擇的選項,允許在效率和解決方案尺寸之間進行優化權衡 無損耗低側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 低壓輸出以適應低壓核心 外部可編程軟啟動 降低浪涌電流并防止啟動時出現無根據的過電流 預偏置啟動 防止反向電流流動 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情況消除,則允許重新啟動 可調輸出電壓 靈活性 可調節電流限制 優化過流條件。允許較低飽和電流的較小電感器用于較低電流應用 輸出過壓保護和欠壓電壓保護 應用 終端產品 高電流POL應用 AS...
發表于 07-30 04:02 ? 262次 閱讀
NCP3233 降壓轉換器工作電壓范圍為3V至21V 最高可達20A

NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

1A是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出o電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 04:02 ? 187次 閱讀
NCP3231A 高電流同步降壓轉換器

NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

1B是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高可達25 A. 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 1MHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低端FET電流檢測 良好的散熱性能 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出ove r電壓和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器通過OTS引腳進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電源良好指示燈 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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NCP3231B 高電流 1MHz 同步降壓轉換器

NCP3231 高電流同步降壓轉換器

1是一款高電流,高效率電壓模式同步降壓轉換器,工作電壓為4.5 V至18 V,輸出電壓低至0.6 V,最高25 A DC負載或30 A瞬時負載。 特性 優勢 寬輸入電壓范圍4.5V至18V 支持廣泛的應用 500KHz開關頻率 需要小電感和少量輸出電容 無損耗低 - 側FET電流檢測 提高效率 0.6V內部參考電壓 外部可編程軟啟動 輸出過壓保護和欠壓保護 使用熱敏電阻或傳感器進行系統過熱保護 所有故障的打嗝模式操作 預偏置啟動 可調節輸出電壓 電力良好輸出 內部過熱保護 應用 終端產品 采用6x6 QFN封裝的25A穩壓器 ASIC,FPGA,DSP和CPU內核及I / O電源 移動電話基站 電信和網絡設備 服務器和存儲系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 142次 閱讀
NCP3231 高電流同步降壓轉換器

NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低輸入電壓,6 A同步降壓轉換器,集成了30mΩ高側和低側MOSFET。 NCP1592專為空間敏感和高效應用而設計。主要特性包括:高性能電壓誤差放大器,欠壓鎖定電路,防止啟動直到輸入電壓達到3 V,內部或外部可編程軟啟動電路,以限制浪涌電流,以及電源良好的輸出監控信號。 NCP1592采用耐熱增強型28引腳TSSOP封裝。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET開關,可在6 A連續輸出源或接收器處實現高效率電流 可調節輸出電壓低至0.891 V,準確度為1.0% 寬PWM頻率:固定350 kHz,550 kHz或可調280 kHz至700 kHz 應用 終端產品 低壓,高密度分布式電源系統 FPGA 微處理器 ASICs 便攜式計算機/筆記本電腦 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 103次 閱讀
NCP1592 同步降壓穩壓器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

C轉換器采用耐熱增強型6mm x 6mm QFN封裝,可提供高達30 A的電流。 特性 優勢 效率高 降低功耗并減少散熱問題 4.5 V至18 V輸入范圍 允許使用5 V或12 V母線進行操作 綜合mosfets 簡化設計并提高可靠性 可調節軟啟動時序,輸出電壓 設計靈活性 過壓,欠壓和過流保護 安全啟動到預偏置輸出 應用 終端產品 高電流POL應用 為asics,fpga和DSP供電 基站 服務器和存儲 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 86次 閱讀
NCP3230 DC / DC轉換器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器

5是一款帶內部MOSFET的15 A DC / DC轉換器,設計靈活。該器件可提供低至0.6V至輸入電壓80%以上的可調輸出電壓。功能包括可調電流限制,輸出電壓和軟啟動時序。引腳可選功能可實現550 kHz或1 MHz的開關頻率,選擇DCM / CCM工作模式,以及在過流期間鎖定或打嗝模式的能力。該器件可配置為在超聲模式下工作,以避開音頻帶。該器件采用耐熱增強型6mm x 6mm TQFN封裝。 特性 優勢 準確0.6 V參考 可調輸出以設置所需電壓低至0.6 V DCM / CCM可選擇選項 在不連續模式下操作以在輕負載下提高效率 550kHz / 1.1MHz開關頻率 選擇更高效率或更小輸出濾波器的設計靈活性 超聲波模式 保持電容器不發出聲音 熱增強型QFN封裝 3個裸露焊盤散布更高 4.5 V至21 V的寬工作范圍 允許跨多個應用程序使用 可調軟啟動 允許在通電期間平穩上升 應用 終端產品 計算/服務器 數據通信/網絡 FGPA,ASIC,DSP電源 12 V負載點 桌面 服務器 網絡 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 07-30 03:02 ? 91次 閱讀
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC轉換器
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